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济南晶正电子完成数亿元Pre-IPO轮融资
发布日期：2024-12-09 14:57 点击次数：110
近日，公共起先的光电晶体薄膜材料研发企业济南晶正电子科技有限公司（以下简称晶正电子）完成数亿元投资，本轮融资老股东源创多盈投资集团连接领投，大湾区基金连合领投，毅达成本等机构跟投。
晶正电子成立于2010年，是一家主要从事纳米厚度晶体薄膜芯片材料研发、坐蓐和销售为一体的高新本领企业和国度级“专精特新”小巨东谈主企业。公司主要居品为直径3到8英寸的铌酸锂和钽酸锂单晶薄膜材料居品，涵盖多种规格高本领难度、高规格晶体薄膜材料。公司开发出了直径3-8英寸、300-900纳米厚的铌酸锂晶体薄膜，是业内首家将8英寸铌酸锂晶体制成铌酸锂薄膜的企业，在全天下范围内具有十足上风。
晶正电子在公共率先结束了铌酸锂单晶薄膜的批量化制备
铌酸锂（LiNbO3）是一种铌、锂和氧的化合物，是一种负性晶体（n0>ne），是集光折变效应、非线性效应、电光效应、声光效应、压电效应与热电效应就是一体的材料，是一种相称关键的光学功能材料，是调制器、滤波器、存储器以及探伤器等基础材料之一。哈佛大学曾发表公告提议：铌酸锂关于光子学的意旨，等同于硅关于电子学的意旨；东谈主类正在插足”铌酸锂谷”的时间。
连年来，晶体材料一直在向着薄膜化的标的发展，其薄膜本领过头潜在的集成光子学系统，如故冉冉成为现时光子学照应前沿的“变革性”本领。铌酸锂晶圆片不错径直用来坐蓐卑鄙应用居品的核心器件，也不错在晶圆片的基础上进行薄膜化处理，形成薄膜铌酸锂晶圆。
基于薄膜铌酸锂芯片设想坐蓐的光电子器件和射频器件体积小、集成度普及、反映频带更宽、反映频率更高、功耗裁汰、制形成本显贵裁汰。高性能薄膜材料是结束铌酸锂和钽酸锂在声学、微纳光子学、集成光子学和微波光子学等领域应用的基础。
传统体材料铌酸锂调制器与薄膜铌酸锂调制器的对比
早在30年前，国外就有东谈主念念把铌酸锂作念成薄膜进行量产，却因本领难渡过高而无法结束。晶正电子通过“离子注入切片”的样子坐蓐薄膜铌酸锂——在铌酸锂衬底片上注入一层高剂量的粒子，并键合到附有二氧化硅缓冲层的硅衬底上，再通过特殊热处理剥离出铌酸锂单晶薄膜，形成的薄膜铌酸锂材料。离子注入法与其他外延、挥发等技能得到的铌酸锂薄膜材料比较，晶片更薄、晶向弧度更低、名义更光滑、厚度更均匀、抛光擦痕更少、寻常光折射率更高、特地光折射率更低、顶层铌酸锂薄膜与基底材料对皆偏差更小。但是，离子注入本质上是在铌酸锂晶体中形成“毁伤层”，使薄膜极易落空或产生裂纹，后续的键合以及热处理中也存在热失配及晶格失配等一系列问题，从而导致良品率低，因此离子注入法坐蓐薄膜铌酸锂对工艺和操作条目极高，形成较高的本领壁垒。晶正电子通过束缚本领转换，见效打破枢纽本领，在公共率先结束了纳米级、大尺寸铌酸锂薄膜的批量化制备，填补了行业空缺，使我国在此高精尖领域本领水平处于天下起先地位，处置了国外集成光学芯片与5G射频芯片材料“卡脖子”问题。
铌酸锂薄膜的制备过程
薄膜铌酸锂是东谈主工智能算力基础本领成立的枢纽基础材料
AI波浪席卷公共，带来了算力需求的爆发式增长。行为维持AI算力的关键基础本领，数据中心不仅肩负着闲逸海量数据处理的责任，更是推动百行万企结束数字化转型的能源开始。咱们知谈，东谈主工智能的应用对低延伸和高带宽的收集架构有紧迫需求，以闲逸服务器之间产生的无数机器对机器的输入/输出需求。为了维持这些应用，溜达式数据中心之间的最大传输距离必须收尾在随机100公里以内，因此需要以集群样子承接这些数据中心。为了结束高带宽和高密度的数据中心互联，数据中心拓扑结构由传统三层结构向叶脊结构篡改，拘谨比快速收窄。这种结构减少了延伸、普及了推广性、平衡分摊了负载，也加多了光纤接口数，从而对高速度、高带宽、低损耗的光模块的需求大幅增长。
左证Lightcounting的市集估计, 2024年光模块总市集约145亿好意思元，2029年市集容量高出260亿好意思元，其中光学芯片市集为59亿好意思元。在这59亿好意思元的光学芯片市荟萃，铌酸锂（包括薄膜及非薄膜）芯片约为7.6亿好意思元（59亿好意思元*13%）,这一市集鸿沟相干于2023年的1.2亿好意思元（24亿好意思元*5%）加多了6-7倍。
铌酸锂凭借其优异的电光效应，成为光电产业领域的枢纽基础材料，其制备的电光调制用具备高调制带宽，高传输速度、低损耗、精熟的消光比和优厚的时候褂讪性。铌酸锂的薄膜化更是带来了关键的改变，一方面选择脊型光波导步地，调制面积的减轻，半波电压减小，从而带来了更低的损耗；另一方面光场收尾更强，调制信号带宽更高。从行业内的企业展示的最新的薄膜铌酸锂调制器芯片Demo咱们不错看到，薄膜铌酸锂调制器芯片的带宽如故不错作念到单通谈400G，8通谈3.2T的水平。
除此以外，基于大鸿沟加工工艺、多种材料异质集成和电子电路连合封装，薄膜铌酸锂将结束大鸿沟的光学收集，从根底上颠覆繁多应用，如全集成激光雷达和光神经收集，全集成的光量子芯片等，从而带动核心光收集向超高速和超远距离传输升级。薄膜铌酸锂有望成为大鸿沟集成光电子器件的衬底材料，推动集成光学芯片、量子经营领域的快速发展，市集出息无边。
03 薄膜铌酸锂是处置我国5G通讯“卡脖子”问题的枢纽材料
无线通讯系统的通讯模块主要由天线、射频前端模块、射频收发模块、基带信号处理等构成。射频前端芯片介于天线和射频收发模块之间，是包括手机在内的迁移智能末端居品的关键构成部分，而射频前端芯片最关键的部分为射频滤波器。
滤波器行为选频滤波器件，径直决定了通讯开采的就业频段和带宽，在射频前端饰演了举足轻重的扮装。奉陪5G通讯极高的数据传输才气而来的是对滤波器的高带宽需求。但是，高性能的射频芯片这个领域基本上是被西洋和日本的几家巨头所紧紧把控，罕见是在5G滤波器这个射频芯片里的核心元器件方面，不管是材料、工艺如故学问产权方面，西洋和日本几家巨头都处于把持地位。射频滤波器系《科技日报》整理的国外占据把持上风 35 项卡脖子表情第7项。
铌/钽酸锂（LN/LT）压电晶圆具有优良的压电性能、热褂讪性、化学褂讪性和机械褂讪性，是制作射频申明义波滤波器（SAW）的理念念基板材料。而基于薄膜铌酸锂的SAW相干于平素SAW和TC-SAW而言，取得了更高频率、更广带宽；相干于BAW来说，基于薄膜铌酸锂衬底的SAW工艺经由更简单且成本更低。因此基于薄膜铌酸锂和钽酸锂的射频滤波器如故成为我国处置5G通讯“卡脖子“问题的枢纽本阐发线，薄膜铌酸锂和钽酸锂成为处置我国5G通讯“卡脖子”问题的枢纽材料。
04 晶正电子的成长之路
1966年，胡文出身在山东潍坊的一个老师家庭，其后凭借优异得益保送插足山东大学经营机专科。大学毕业后，胡文被分派到中国石化山东石油公司，后前去曼谷的亚洲理工学院攻读硕士学位。
上世纪末，受放洋潮影响，胡文来到了IBM旗下一家公司作念软件开发和测试就业，并在加拿大假寓。国外就业时候，胡文还兼任加拿大中国专科东谈主士协会济南国外科技东谈主才创业基田主任，曾积极匡助过一批华裔归国创业。
2009年，济南市启动了“5150引才筹备”，专诚设立每年1亿元的东谈主才引进专项资金，还提供创业资助、科研提拔、待遇补贴等服务。看到这一计谋后，胡文萌发了归国创业的念头。
在归国前，胡文持重锤真金不怕火了北京，上海，无锡等几个城市，但发现济南有70多所高校，东谈主才资源丰富。“还有济南的生涯成本、创业成本等比较低，妥当初创者。”胡文在罗致网采访时曾示意。
2010年，胡文消除了国外的优厚待遇，归国在济南市详尽保税区创立了晶正电子，专注铌酸锂单晶薄膜的研发，剑指高端通讯领域。功夫不负有心东谈主。2015年，在国度、省、市各部门鼎力维持下，胡文和团队终于控制离子注入及径直键合等本领，率先研发出纳米厚度铌酸锂单晶薄膜居品，填补行业空缺，从厚度为0.5毫米的铌酸锂材料上剥离出厚度仅稀有百纳米的单晶薄膜，相称于将原本的0.5毫米的铌酸锂单晶平行切了1000片。
不仅如斯，晶正电子还攻克了从实验室到工业化坐蓐的贫苦，成为全天下率先结束工业化坐蓐的公司——2016年晶正电子在章锦综保区建立了约40亩的坐蓐工场，运行进行产业化准备。
05 晶正电子与源创多盈结缘
源创多盈集团秉握深耕区域、深潜产业、深刻服务的策略，聚焦热力、电力、算力、人命力的产业投资，一直温雅半导体产业的发展，并投资了碳化硅第一股——山东天岳先进科技股份有限公司等企业。
经过永久筛选布局，源创多盈集团温雅到了晶正电子，意志到了薄膜铌酸锂具有庞杂后劲和价值，以前将引颈产业变革。因此在晶正电子亟需资金维持之际，源创多盈集团讲理采纳投资晶正电子，并在之后握续投资，匡助其渡过难关。
在源创多盈集团投资后，晶正电子加速了发展的秩序，2020年与山东大学晶体材料国度重心实验室连合成立“铌酸锂晶体薄膜研发中心”，为5G通讯、东谈主工智能、量子通讯、电子信息等领域提供枢纽材料和器件，鼓动应用本领的照应和遵守迁移；2022年取得“山东省科学本领高出一等奖”；2023年取得山东省“瞪羚”企业。客户群体也从剑桥、哈佛、耶鲁、清华等科研机构推广到产业链卑鄙科技企业，包括好意思国、日本等公共二百余家高技术企业及科研机构用。
06源创多盈的铌酸锂产业布局
源创多盈集团已与晶正电子建立深度伙同，并匡助其完成最新一轮融资。围绕晶正电子，源创多盈集团正进行更庸俗的产业布局。鄙人游，源创多盈集团投资了国内起先的光电子器件供应商北京世维通科技股份有限公司和国内优质薄膜铌酸锂光芯片及器件的供应商上海安湃芯研科技有限公司。
在上游，源创多盈集团亲身下场主导并控股了山东恒元半导体科技有限公司（以下简称恒元光电）。
恒元光电是一家专科从事铌酸锂、钽酸锂等光电材料、压电材料研发、坐蓐及销售于一体的新兴科技型企业，核心居品包括不同尺寸（3-8英寸）、不同轴向（X-cut、Z-cut、Y128-cut等）的光学级铌酸锂晶体材料、不同类型掺杂的铌酸锂晶体材料以及近化学计量比的铌酸锂晶体材料。2024年6月，恒元光电自主研制见效了12英寸（直径300 mm）光学级铌酸锂晶体，是国际上初度报谈12英寸超大尺寸铌酸锂晶体，璀璨着我国光电子产业枢纽材料产业水平取得首要打破。
源创多盈集团已进行了从材想到芯片器件的产业布局，助力中国新一代信息本领的枢纽本领打破，与企业并肩前行，共同结束科技遵守经济及社会价值的放大。源创多盈将连接在集成电路产业领域深耕布局，孵化并培植集成电路产业核心纽节点型本领企业，助力更多科创企业永久发展。