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集邦说合：HBM5 20hi后产物将承袭Hybrid Bonding技能 或激发买卖方法变革
发布日期：2024-10-30 12:33 点击次数：100
（原标题：集邦说合：HBM5 20hi后产物将承袭Hybrid Bonding技能 或激发买卖方法变革）
智通财经APP获悉，TrendForce集邦说合发文称，HBM产物已成为DRAM产业关心焦点，这使得Hybrid Bonding (羼杂键合)等先进封装技能发展备受阻止。左证最新酌量，三大HBM原厂正在谈判是否于HBM4 16hi承袭Hybrid Bonding，并已笃定将在HBM5 20hi世代中使用这项技能。集邦说合指出，承袭Hybrid Bonding可能导致HBM的买卖方法出现变化。
与已常常使用的Micro Bump (微凸块)堆叠技能比较，Hybrid Bonding由于不确立凸块，可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题。使用Hybrid Bonding的芯片传输速率较快，散热成果也较好。
TrendForce集邦说合暗示，三大原厂已笃定将在HBM3e 12hi及HBM4 12hi世代不竭使用Advanced MR-MUF及TC-NCF堆叠架构。关于HBM4 16hi和HBM4e 16hi世代，因Hybrid Bonding未较Micro Bump具昭彰上风，尚无法料定哪一种技能能受爱重。若原厂决定承袭Hybrid Bonding，主要原因应是为赶早履历新堆叠技能的学习弧线，确保后续HBM4e和HBM5凯旋量产。三伟业者考量堆叠高度范围、IO密度、散热等条款，已笃定于HBM5 20hi世代使用Hybrid Bonding。
然则，承袭Hybrid Bonding需面临多项挑战。如原厂投资新树立导入新的堆叠技能，将排挤对Micro Bump的需求，也不再享有蓝本积聚的技能上风。Hybrid Bonding尚有微粒抑止等技能问题待克服，将进步单元投资金额。此外，由于Hybrid Bonding需以Wafer to Wafer方法堆叠，若front end(前端)坐褥良率过低，举座坐褥良率将不具经济效益。
TrendForce集邦说合指出，承袭Hybrid Bonding可能导致HBM的买卖方法出现变化。使用Wafer to Wafer方法堆叠，须确保HBM base die(基础裸晶)与memory die(内存裸晶)的晶粒尺寸十足一致；而前者的野心是由GPU/ASIC业者主导，因此，同期提供base die及GPU/ASIC foundry(晶圆代工)业绩的TSMC(台积电)可能将担负base die与memory die堆叠重负。若循此方法发展，预测将影响HBM业者在base die野心、base die与memory die堆叠，以及举座HBM接单等买卖设施的产业地位。